براساس نقشهی راه سامسونگ برای حافظههای DRAM، ظرفیت این تراشهها به ۳ گیگابایت تا ۴ گیگابایت خواهد رسید. همچنین سرعت انتقال دادهها روی این حافظهها بین ۶٫۴ تا ۸٫۲ گیگابیت برثانیه خواهد بود. دربخش حافظههای ویدئویی، سال آینده شاهد عرضهی نسل جدید GDDR7 خواهیم بود؛ بنابراین نسخهی جدید گرافیکهای AMD و انویدیا احتمالاً از حافظههای گرافیکی GDDR7 بهره خواهند برد.
افزونبراین، سامسونگ چشماندازهای بلندمدت خود را برای بازار تراشههای حافظه ارائه کرده است. این شرکت تصمیم دارد حافظههای DDR6 را در سال ۲۰۲۶ عرضه کند و سال ۲۰۲۷ به سرعت ۱۰ گیگابیت برثانیه روی این حافظهها دست یابد. این حافظهها درواقع نسل پنجم DRAM خواهند بود که با فرایند ۱۰ نانومتری تولید میشوند. این شرکت همچنین نقشهی راه حافظههای فلش خود را بههمراه تراشهی V9 NAND در سال ۲۰۲۴ بهاشتراک گذاشته است.
بهنوشتهی Gizchina، سامسونگ در رویداد قبلی Tech Day اشاره کرد که نسل نهم V-NAND این شرکت درحال توسعه است. طبق برنامهریزیها، این تراشهها از سال ۲۰۲۴ وارد مرحلهی تولید انبوه خواهند شد. این شرکت درنظر دارد برای پشتیبانی بهتر از فناوریهای مبتنیبر داده، تا سال ۲۰۳۰ بیشاز ۱۰۰۰ لایه NAND روی هم قرار دهد و همچنین اعلام کرد که بالاترین ظرفیت یک ترابایتی TLC V-NAND جهان تا پایان سال جاری دردسترس مشتریان قرار خواهد گرفت.
سامسونگ درمدت ۴۰ سال، بیشاز یک تریلیون گیگابایت حافظه تولید کرده است
جونگبی لی، رئیس واحد کسبوکار تراشههای حافظهی سامسونگ در رویداد Tech Day ۲۰۲۲ گفت که این شرکت طی ۴۰ سال درمجموع یک تریلیون گیگابایت حافظه تولید کرده است و جالب اینکه حدود نیمی از این حافظهها طی سه سال گذشته تولید شدهاند.
سامسونگ مدعی شده است که در زمینهی سال DRAM و NAND بهترتیب ۳۰ و ۲۰ سال تجربه دارد و در این حوزه پیشرو بازار بوده است. این شرکت درحالحاضر مشغول توسعهی نسل پنجم DRAM کلاس ۱۰ نانومتری است. علاوهبراین غول فناوری کرهی جنوبی تصمیم دارد نسل هشتم و نهم V-NAND را تولید کند. این شرکت وعده داده است که به ارائهی قدرتمندترین ترکیب فناوریهای حافظهها در دههی آینده ادامه خواهد داد.
درنهایت سامسونگ هدف کلی خود را، افزایش ارزش مشتریان عنوان کرد. این برند همچنین ادعا میکند که فلسفهی بهبود مشتریمداری را دنبال میکند تا میزان مشارکت در اکوسیستم خود را افزایش دهد.